求一篇微电子 集成电路制造工艺 磁控溅射方面的论文

磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究

1 引 言

作为互连材料,铜(Cu)相对于铝具有较低的电

阻率(1.67μΩ·cm)和良好的抗电迁移性能,因而

在集成电路和微电子领域有着广阔的应用前景[1]。

随着器件不断向微型化发展,互连Cu膜的厚度不

断向亚微米和纳米尺度减小。一方面,膜厚减小导

致薄膜比表面积的急剧增加,从而使Cu膜呈现出

与块体迥然不同的性能,如由于对传输电子产生显

著的表面散射而导致较高的电阻率等[2];另一方面,

当膜厚减小至纳米尺度时,Cu膜表面形貌也将表现

出新的演化特征,从而可能影响与其连接的其他膜

层的结构和性能等[3]。因此,研究纳米尺度铜膜的

表面形貌演化及其电学性能有着非常重要的意义。

近年来,大量文献报道了淀积工艺对较厚Cu

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